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有源晶振
型号 | 图片 | 封装尺寸 | 频率 | 频率公差 | 工作温度 | 输出类型 | 工作电压 | |
SMD 2016有源晶振 |  | 2.0×1.6×0.75 | 4~54MHz | ±25ppm, ±50ppm | -40~+85℃ | CMOS | 1.8~3.3V |  |
SMD 2520有源晶振 | | 2.5×2.0×0.85 | 1~150MHz | ±25ppm, ±50ppm | -40~+85℃ | CMOS | 1.8~3.3V | |
SMD 3225晶体振荡器 | | 3.2×2.5×1.0 | 1~150MHz | ±25ppm, ±50ppm | -40~+85℃ | CMOS | 1.8~3.3V | |
SMD 5032有源晶振 |  | 5.0×3.2×1.2 | 1~150MHz | ±25ppm~±50ppm | -40~+85℃ | CMOS | 1.8~5.0V | |
SMD 7050晶体振荡器 |  | 7.0×5.0×1.3 | 1~170MHz | ±25ppm~±50ppm | -40~+85℃ | CMOS | 1.8~5.0V | |
贴片钟振CMOS |  | 14.0×9.0×5.4 | 1~170MHz | ±50ppm | -20~+70℃ | CMOS | 1.8~5.0V | |
半尺寸晶体振荡器 |  | 12.9×12.9×5.3 | 0.25~18MHz | ±10ppm~±100ppm | -20~+70℃ | CMOS | 3.3V /5.0V | |
全尺寸晶体振荡器 |  | 20.4×13.1×5.3 | 0.25~180MHz | ±10ppm~±100ppm | -20~+70℃ | CMOS | 3.3V /5.0V | |
VCXO
型号 | 图片 | 封装尺寸 | 频率 | 频率公差 | 工作温度 | 输出类型 | 工作电压 | |
SMD 5032压控晶体振荡器 |  | 5.0×3.2×1.2 | 50~200MHz | ±25ppm, ±50ppm | -20~+70℃ | CMOS | 3.3V | |
SMD 7050压控晶体振荡器 | | 7.0×5.0×1.3 | 1~200MHz | ±25ppm, ±50ppm | -20~+70℃ | CMOS | 3.3V | |
贴片VCXO压控晶体振荡器 |  | 14.0×9.0×5.4 | 50~700MHz | ±50ppm, 或定制 | -20~+70℃ | CMOS | 3.3V | |
TCXO
型号 | 图片 | 封装尺寸 | 频率 | 温度特性 | 工作温度 | 输出类型 | 工作电压 | |
2016 温补晶体振荡器 |  | 2.0×1.6×0.75 | 26~52MHz | ±0.2ppm | -30~+85℃ | Clipped Sinewave | 1.8~3.3V | |
2520 温补晶体振荡器 | | 2.5×2.0×0.8 | 13~52MHz | ±0.2ppm | -30~+85℃ | Clipped Sinewave | 1.8~3.3V | |
3225 温补晶体振荡器 | | 3.2×2.5×1.0 | 13~52MHz | ±0.2ppm | -30~+85℃ | Clipped Sinewave | 1.8~3.3V | |
5032 温补晶体振荡器 | | 5.0×3.2×1.5 mm | 5~52MHz | ±0.2ppm | -40~+85℃ | CMOS/Clipped Sinewave | 2.7V~5.5V | |
7050 温补晶体振荡器 |  | 7.0×5.0×2.0 mm | 5~52MHz | ±0.2ppm | -30~+85℃ | CMOS/Clipped Sinewave | 2.7V~5.5V | |
OCXO
型号 | 图片 | 封装尺寸 | 频率 | 频率公差 | 输出类型 | 工作电压 | |
OCXO恒温晶振 |  | 25.4×25.4×12.7 | 5~100MHz | ±0.2ppm最大 | Sine Wave | 3.3V/5.0V | |
恒温晶体振荡器 |  | 36.3×27.2×12.7 | 5~40MHz | ±5ppb 最大 | HCMOS /Sine Wave | 3.3V~12V | |
SMD OCXO(恒温晶振) |  | 14.3×9.3×6.0 | 5~40MHz | ±50ppb~±200ppb | HCMOS | 3.3V/5.0V | |
差分晶体振荡器
| 型号 | 图片 | 封装尺寸 | 频率 | 频率公差 | 输出类型 | 工作电压 | |
SMD 5032差分LVDS有源晶振 |  | 5.0×3.2×1.2 | 25~200MHz | ±50ppm, 或定制 | LVDS | 2.5V/3.3V | |
SMD 5032差分晶振 | | 5.0×3.2×1.20 | 25~200MHz | ±20ppm, 或定制 | LVPECL | 2.5V/3.3V | |
SMD 5032差分HCSL晶体振荡器 | | 5.0×3.2×1.2 | 25~200MHz | ±30ppm, 或定制 | HCSL | 2.5V/3.3V | |
SMD 7050差分LVPECL晶体振荡器 | | 7.0×5.0×1.3 | 25~200MHz | ±30ppm, 或定制 | LVPECL | 2.5V/3.3V | |
SMD 7050差分晶振HCSL输出 | | 7.0×5.0×1.3 | 25~200MHz | ±30ppm, 或定制 | HCSL | 2.5V/3.3V | |
贴片差分晶体振荡器 |  | 14.0×9.0×5.4 | 25~200MHz | ±50ppm, 或定制 | LVPECL/LVDS | 2.5V/3.3V | |
32.768kHz晶体振荡器
| 型号 | 图片 | 封装尺寸 | 频率 | 频率公差 | 输出类型 | 工作电压 | |
OSC SMD 2520晶振振荡器 |  | 2.5×2.0×0.90 | 32.768 kHz | ±25ppm, 或定制 | CMOS | 1.8V~3.3V | |
D11声表面波谐振器
产品型号：D11声表面波谐振器中心频率：433.92MHz / 315MHz 产品尺寸：8.36*3.45*3.0 mm 频差：±75KHz 插入损耗：1.5dB 工作温度：-40~+85℃ 产品应用范围：汽车电子、无线遥控、安防监控、智慧城…
F11 声表面波谐振器
产品型号：F11 声表面波谐振器中心频率：433.92MHz / 315MHz 产品尺寸：11.0*4.5*3.4 mm 频差：±75KHz 插入损耗：1.5dB 工作温度：-40~+85℃ 产品应用范围：汽车电子、无线遥控、安防监控、智慧城…
TO-39 声表面波谐振器
产品型号：TO39 声表面波谐振器 中心频率：433.92MHz / 315MHz 产品尺寸：9.15x5.08 mm 频差：±75KHz 插入损耗：1.5dB 工作温度：-40~+85℃ 产品应用范围：汽车电子、无线遥控、安防监控、智慧城…
QCC2A 声表面波谐振器
产品型号：QCC2A 声表面波谐振器中心频率：433.92MHz / 315MHz 产品尺寸：7.5x2.2x2.0 mm 频差：±75KHz 插入损耗：1.5dB 工作温度：-40~+85℃ 产品特点:精度高，体积小，自动贴片产品应用范围：汽…
